如何聰明地防止電源正負極接反？

硬件工程師的很多項目是在洞洞板上完成的，但有存在不小心將電源正負極接反的（de）現象，導致很多電子元（yuán）器件都燒毀，甚至整塊板子都廢掉，還得再焊接一塊，不知道有什麽好的（de）辦法可以解決（jué）？

首先粗（cū）心不可避免，雖說隻是區分正（zhèng）負極（jí）兩根線，一紅一黑（hēi），可（kě）能（néng）接線一次，我們不會出錯；

接10次線也不會出錯，但是1000次？10000呢？

這時候就不好說了，由於我們的粗心，導致一些電子元器件和芯片（piàn）燒壞，主要原因是電流過大（dà）使元器件被擊穿，所以必須采取防止接反的措施。

一般常用的有以下幾種方法：

1 、二極管串聯型防反接保護電路

在正電源輸入端串聯一個正向二極管，充分利用二極管正向導通、反（fǎn）向截止的特性。正常情況下，二級（jí）管導通，電（diàn）路板工作。

當電源接反時，二極管截止，電源無法形成回路，電路板不工作，可以有效的防止電源接反的問題。

2 、整流橋（qiáo）型防反接保護電路（lù）

使用整流橋將電源輸入變為無極（jí）輸入，無論電源（yuán）正（zhèng）接還是反接，電路板一樣正常（cháng）工作。

以上使用（yòng）二極管進行防反處理，若采用矽二極管具有0.6~0.8V左右的壓降，鍺二極管也有0.2~0.4V左右的壓降（jiàng），若覺得壓降（jiàng）太大，可使用MOS管做防反處（chù）理，MOS管的（de）壓降非常小，可達幾毫歐姆，壓降幾乎可忽略不計。

3 、MOS管防反保護電路

MOS管因工藝（yì）提升，自身性質等因素，其導通內阻較小，很多都是毫歐級，甚至更小，這樣對（duì）電路的壓降，功耗造成的損失特別小，甚至可以忽略不計，所以選擇MOS管對電路進行保護是比較推薦的方（fāng）式（shì）。

1） NMOS防護

如下圖：上電瞬間，MOS管的寄生二極管導通，係統形成回路，源（yuán）極S的電位大約為（wéi）0.6V，而柵極G的（de）電位為Vbat，MOS管的開啟電（diàn）壓極為：Ugs = Vbat - Vs，柵極表現為高電平，NMOS的ds導通，寄生二極管被短路，係（xì）統通過NMOS的ds接入形成回路。

若電源接反，NMOS的導通電壓為0，NMOS截止，寄生二極管反接，電路是斷開的，從而形成保護。

2）PMOS防（fáng）護（hù）

如下圖：上電瞬間，MOS管的（de）寄生二極管導通，係統形成回路，源極S的電位大約為Vbat-0.6V，而柵極G的（de）電位（wèi）為0，MOS管的開啟（qǐ）電（diàn）壓極為：Ugs = 0 -（Vbat-0.6），柵極表現為低（dī）電平，PMOS的ds導通，寄生二極管被短路，係統通過PMOS的ds接入形成回路。

若（ruò）電源接反（fǎn），NMOS的導通（tōng）電壓大於0，PMOS截止，寄生二極管反（fǎn）接，電路是（shì）斷開的，從而形成保護。

注：NMOS管將ds串到負極，PMOS管ds串到正極，寄生二極管（guǎn）方（fāng）向朝向正確連接的電流方向。

MOS管的D極和S極的接入（rù）：通常使用N溝道的MOS管時，一般是（shì）電流由D極進入（rù）而（ér）從S極流出，PMOS則S進D出，應用在這個電路中（zhōng）時則正（zhèng）好相反，通過寄生二極管的導通來滿足MOS管導通的（de）電壓條件。

MOS管隻要在G和S極之間建立一個合適的電壓就會導通。導通之後D和（hé）S之間就像是一個開關閉（bì）合了，電流是從D到S或S到D都一樣（yàng）的電阻。

實際應用中，G極一般串接一（yī）個電阻，為（wéi）了防止MOS管被（bèi）擊穿，也可以加上穩壓二（èr）極管。並聯（lián）在分壓電阻（zǔ）上的電容，有一個軟啟動的作用（yòng）。在（zài）電流開始流過的瞬間，電容充電，G極的電壓逐步建立起來。

對於PMOS，相比NOMS導通需（xū）要Vgs大於閾值電壓（yā），由於其開啟電壓可以（yǐ）為0，DS之間的壓差不大（dà），比NMOS更具有優勢。

4 、保險絲防護

很多常見的電子產品，拆開之後都可以看（kàn）到電（diàn）源部分加了保險絲。

在電源接反，電路中存在短路的時候由於大電流，進而（ér）將保險（xiǎn）絲熔斷，起到保護電路的作用，但這種方式修理更換比較麻煩。（文章來自電磁（cí）兼容之家）